Bộ nhớ Hybrid Memory Cube (HMC) có thể “hất cẳng” DDR3 khỏi các máy chủ hiệu năng cao trong một vài năm nữa, một nhà phân tích nhận định.
>> Smartphone và tablet: Chụp ảnh 16 “chấm”, 64GB và RAM 4GB
>> Bí mật sản xuất chip nhanh gấp 1.000 lần hiện tại
>> HAMR- tương lai của ổ đĩa cứng
>> Lưu trữ flash tiến gần hơn đến CPU
Hôm thứ Năm 6/10/2011, Samsung Electronics và Micron Technology đã thông báo việc lập ra một tổ chức hỗ trợ bộ nhớ điện năng thấp HMC, có thể thách thức bộ nhớ DDR3 trong các máy tính hiệu năng cao trong một vài năm tới.
Tổ chức Hybrid Memory Cube Consortium sẽ tập hợp các nhà sản xuất thiết bị và các công ty chip lại với nhau để phát triển một đặc tả mở về loại bộ nhớ mới, các công ty cho biết trong một tuyên bố chung.
Bộ nhớ HMC hứa hẹn sẽ vượt qua các công nghệ bộ nhớ hiện tại (như DDR3 DRAM) về hiệu suất và điện năng tiêu thụ, các công ty cho biết. Ban đầu, bộ nhớ đươc nhắm để sử dụng trong các thị trường như kết nối mạng, điện toán hiệu năng cao và năng lượng, ông Scott Graham, tổng giám đốc nhóm các giải pháp DRAM của Micron cho biết.
Ông Graham không thể xác định ngày tháng cụ thể mà bộ nhớ sẽ “cán đích” thị trường. Tuy nhiên, các đặc tả ban đầu sẽ được phát hành vào năm tới, và ông Graham ước đoán việc sản xuất hàng loạt của bộ nhớ HMC sẽ bắt đầu vào năm 2015.
HMC sẽ cung cấp băng thông bộ nhớ giúp có thể tăng tốc hiệu suất mạng, tăng hiệu suất CPU trong các máy tính hiệu năng cao. HMC Consortium cho biết, HMC có thể cung cấp hiệu suất cao gấp hơn 15 lần, sử dụng năng lượng ít hơn 70% so với bộ nhớ DDR3.
HMC được Micron (trong quan hệ đối tác chặt chẽ với Intel) phát triển. Là một trong những nhà sản xuất bộ nhớ lớn nhất thế giới, Samsung là một đối tác rất quan trọng với Micron. Những thành viên khác của HMC Consortium bao gồm Altera và Xilinx.
Theo PC World VN
Xem đầy đủ bài viết tại http://www.lomkom.com/2011/10/141897
0 nhận xét:
Đăng nhận xét